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BD SENSORS硅傳感器iS 4

產(chǎn)品介紹

利用半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機械加工技術(shù),在單晶硅片的特定晶向上,用光刻、擴散等半導(dǎo)體工藝制做一惠斯登電橋,形成敏感膜片,當(dāng)受到外力作用時產(chǎn)生微應(yīng)變,電阻率發(fā)生變化,使橋臂電阻發(fā)生變化(一對變大一對變?。┰诩铍妷盒盘栞敵?,經(jīng)過計算機溫度補償、激光調(diào)阻、信號放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測、標(biāo)定等工藝,生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號的壓力變送器

性能特點

公稱壓力 0 至 10 巴

符合 V 1.1 規(guī)范的 IO-Link

精度 0.5 % FSO

硅傳感器,RTV

結(jié)構(gòu)緊湊

選型指南

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地:德國

輸入壓力范圍

額定壓力表:10 bar

超壓:13 bar

輸出信號 / 電源

標(biāo)準(zhǔn) IO-Link(測量值和狀態(tài)傳輸)/ VS = 18 至 30 VDC

SIO(開關(guān)輸出),通過 LED 指示狀態(tài)(綠色)

IO-Link:V 1.1 / 從站 / 智能傳感器配置文件

數(shù)據(jù)傳輸:COM2 38.4 kbit/s

模式:SIO / IO-Link (COMx)

標(biāo)準(zhǔn):IEC 61131-2、IEC 61131-9

精度:≤ ± 0.5 % FSO

開關(guān)電流(SIO 模式):max. 200 mA

開關(guān)頻率:max. 200 Hz

開關(guān)周期:> 100 x 106

長期穩(wěn)定性:≤ ± 0.3 % FSO /年(參考條件下

開啟時間 SIO 模式:約. 20 ms

響應(yīng)時間 SIO 模式:< 4 ms

測量速率:400 Hz

熱效應(yīng)(偏移和跨度)/允許溫度

公差帶:≤ ± 2 % FSO

TC,平均值:≤ ± 0.4 % FSO / 10 K

補償溫度范圍:0 至 50 °C

中 / 電子 / 環(huán)境溫度:-25 至 85 °C

存儲溫度:-40 至 85 °C

電氣保護

短路保護:長久性

反極性保護:無損壞,但也無功能

電磁兼容性:發(fā)射和抗擾性符合 EN 61326 標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品尺寸

產(chǎn)品應(yīng)用

機械與設(shè)備工程、暖通空調(diào)


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