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LASER QUANTUM太赫茲發(fā)射器Tera-SED3

產品介紹

有效的太赫茲 (THz) 輻射源對于各種科學和技術應用非常重要。重要的關鍵因素是大帶寬和高太赫茲電場幅度。這通常意味著較大的發(fā)射極面積,并且在傳統(tǒng)概念中需要高偏置電壓(數百伏)以實現必要的偏置場強,通常在 kV/cm 范圍內。Tera-SED 的主要優(yōu)勢是大有效面積和低偏置電壓要求的組合。

Tera-SED 是一種平面大面積基于 GaAs 的光電導發(fā)射器,用于脈沖生成寬帶太赫茲輻射。 它具有新穎的叉指式電極 MSM 結構,允許在單個電極之間具有 kV/cmbias 場的大活性區(qū)域。只需要低外部偏置電壓,無需脈沖高壓電源。其靈活的可擴展設備技術使 Tera-SED 成為有效率且多功能的太赫茲發(fā)射器。

Tera-SED 不需要外部冷卻。它連接到適合 1 英寸光學安裝座的金屬支架。易用性和輕松對齊是關鍵資產。

Tera-SED 有兩種不同的版本:10x10 mm2 可用區(qū)域用于放大 fs-laser 系統(tǒng)(脈沖能量高達 300 μJ,從 ~10 μJ 飽和)和 3x3 mm2 可用區(qū)域適合與 fs-laser 一起使用振蕩器。

性能特點

  • 大面積太赫茲發(fā)射器
  • 低外部偏置電壓
  • 無需外部冷卻
  • 叉指設計

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技術參數


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