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OPTOI光電晶體管陣列OIT15C-NR

產品介紹

OIT15C-NR 包含在硅光電晶體管的單片陣列中。光電晶體管在背面基板上有一個公共集電極,該集電極連接到單個焊盤,每個發(fā)射器都可以訪問特定的焊盤。陣列的光學間距為 0.45 mm,LCC 封裝電氣間距為 1.10 mm。每個元件的有效面積為 0.25 x 0.50 mm2。

該產品的優(yōu)點是硅傳感器的高度均勻性,由于單片結構和受控的微電子過程,信號的高穩(wěn)定性和高光學響應性,由于沉積在光電晶體管區(qū)域上的抗反射涂層。

該設備采用薄塑料薄膜保護,可抵抗回流爐工藝。一旦將設備組裝到電子板上,就須去除薄膜,用戶可以安裝光學標線片。尺寸減小,以優(yōu)化成本和編碼器空間。兩個參考標記可用于準確的標線定位。

性能特點

  • 耐焊接工藝,MSL2
  • 硅電池的高均勻性
  • 更小的光學間距,更寬的有效區(qū)域
  • 高增益
  • 非常小的尺寸
  • 準確安裝的參考點
  • 提供分劃板組裝服務

技術參數(shù)

工作溫度范圍:-40 100 °C

儲存溫度:-40 100 °C

引線溫度(焊錫)3s:230 °C

集電極-發(fā)射極擊穿電壓@TA=25°C IB=100nA IC=1mA:50 V

功耗,TA=25°C 時:150 mW

靜電放電敏感性:3級

暗電流 VR=10V:典型5nA,max.100 nA

響應度:0.5 A/W

峰值響應度 VCE=5V:750 nm

光譜帶寬@50% VCE=5V:500…950 nm

發(fā)射極-集電極電流 VCE=7.7V:0.025…100 μA

集電極-發(fā)射極電流 VCE=52V:0.025…100 μA

增益 VCC=5V IC=2mA:典型500,min.1100,max.500

飽和電壓 IE=2mA IB=20μA:80…200 mV

通態(tài)集電極電流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2:1 mA

上升時間VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

下降時間 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

光電晶體管有效面積:0.125 mm2

有效區(qū)域長度:0.25 mm

有效區(qū)域寬度:0.50 mm

產品尺寸

產品應用

光學編碼器

增量編碼器

光接收器

控制/驅動

光傳感器


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